適用于對(duì)LED半導(dǎo)體器件、微電子器件、厚膜器件和電阻器基片、壓電晶體的靜電放電試驗(yàn)。具有性能穩(wěn)定、使用方便、試驗(yàn)電壓連續(xù)可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。 滿(mǎn)足美軍標(biāo)、國(guó)軍標(biāo)、國(guó)際ESD協(xié)會(huì)等幾乎現(xiàn)存所有相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求。

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