在21日的国际研讨会上，三菱电机功率器件制作所高X工程师今泉昌之博士发表“电力电子变换器用X新SiC功率器件”的主题报告，并从SiC功率器件的X势、三菱电机X新SiC MOSFET技术、SiC器件应用三方面逐一展开。今泉先生X先运用芯片结构差异和开关波形两大关键要素，将SiC-MOSFET与传统Si器件进行比较，SiCX减少功率损耗的X良特性自此展露无遗。同时，把SiC技术应用到功率器件上，将能进一步促进功率器件往小型化、高效低损耗、高频高性能、耐高温等方向X化，比如三菱电机的SiC产品就是很好的佐证。其后的报告中，今泉先生便提到，目前，三菱电机已将小到15A/600V，大到750A/3300V的SiC-MOSFET模块推向市场。而在SiC器件应用方面，三菱电机的SiC产品更被实际应用在家用空调、马达驱动、太阳能功率变换器、铁路牵引、储能系统及风电变流器等X域，可见其辐射范围已相当广泛。X后，今泉先生表示，业界对于SiC产品的应用研究已在很大程度上被激活，SiC技术也一直在稳态中逐步向前发展，有理由相信随着SiC芯片的成本不断降低，SiC器件的应用将越来越普及。
7月的清华园，荷花满塘，处处芬芳。我们衷心希望，在未来的日子里，三菱电机可以通过更为丰富多样的企业活动，努力激发电力电子X域的创新思维，为培养电力电子X的未来精英做贡献。
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联系人：李灿灿
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