武汉佰力博科技有限公司
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产品介绍：
为了更方便的研究高温条件下半导体材料的导电性能，佰力博自主研发了HRMS-800高温薄膜四探针测量系统，该系统可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃ITO和其他导电薄膜的方块电阻，该设备按照单晶硅物理测试方法X标准并参考美国A.S.T.M标准而设计的，X于高温、真空及气氛条件下测试半导体材料电学性能的X佳测量系统。
功能特点：
1、采用双电测组合测量模式，不用进行系数修正；
2、可以测量高温、真空、气氛条件下薄膜方块电阻和薄层电阻率；
3、可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；
4、可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；
5、可以与美国keithley2400数字源表配套测量半导体材料；
6、可以通过USB传输数据，数据格式是Excel格式。
技术规格：
测量温度：室温---600℃;
控温精度：±1℃ ，显示精度：±0.1℃；
升温斜率：1-5°C/min；
测量精度：0.05%；
电阻率：10-5～105Ω.cm ;
电导率：10-5～105s/cm
方块电阻：10-4～106Ω/□；
电阻：10-5～105Ω；
高温四探针测试探头：
探针间距：2±0.01mm；
探针压力：0~2kg可调；
针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石；
针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
真空度：10Pa（标配），高真空另选；
可测半导体材料尺寸：薄膜直径15-30mm，厚度小于4mm；
Keithley2400源表测量范围：
源电压：5μV-210V，测量电压：1μV to 211V；
源电流：50ρA to 1.055A；
测量电阻：100mΩ to 200MΩ；
X低源功率：22W
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