武汉佰力博科技有限公司
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高温四探针测试仪测量原理：
采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法X标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发。经典直排四探针法测试电阻率在半导体材料、微电子硅芯片和各类半导体膜、导电膜等的研究与生产中发挥了很大作用，是一个广泛使用的检测手段。但长时间以来经典直排四探针法限于I14V23单一方式，要求使用等距离的探针。如果针间间距不等或探针有游移，都会造成测量误差；当被测片较小或在大片边缘附近测量时，要计入电场畸变的影响进行边界修正，不同情况下的修正因子公式各异，也都很复杂，能够直查的修正因子数据量有限，实用中有时难以快速保证X终结果准确度。HRMS-800高温四探针测试仪采用双电测组合模式（I12V34和E14V23模式），能自动消除边界影响，测量结果更加X。
佰力博自主研发的HRMS-800高温四探针测试仪可以实现室温到600℃高温、真空、气氛测量条件，测量硅、锗单晶电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。
高温四探针测试仪技术规格：
测量温度：室温---600°C ;
控温精度：±1℃ ，显示精度：±0.1℃；
升温斜率：1-5°C/min；
测量精度：0.05%；
电阻率：10-5～105Ω.cm ;
电导率：10-5～105s/cm
方块电阻：10-4～106Ω/□；
电阻：10-5～105Ω；
探针间距：2±0.01mm；
探针压力：0~2kg可调；
针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
高温四探针测试仪功能特点：
1、测量高温、真空气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；测量半导体薄膜和薄片的导电性能；测量硅、锗单晶电阻率；测量硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻；测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。
2、主机、软件、高温炉等集成一体，可视化操作；
3、可以实现纯净气氛下的测量；保证探针在高温下不氧化；
4、真空条件下可精准调节探针距离；要求采用碳化钨探针，X高耐温600℃；
5、自动调节测试电压，探针和薄膜接触无火花现象；
6、控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都是样品实际温度；
7、可配套使用Keithley2400或2600数字多用表。
