武汉佰力博科技有限公司
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HRMS-800高温四探针测试仪又称高温四探针方阻测试仪，高温四探针电阻率测试仪，主要是针对半导体薄膜材料电阻、电阻率和方块电阻性能测量。采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法X标准并参考美国A.S.T.M标准设计研发。
高温四探针测试仪功能特点：
1、测量半导体薄膜和薄片的导电性能；
2、测量硅、锗单晶电阻率；
3、测量硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻；
4、测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻。
高温四探针测试仪技术规格：
测量温度：室温---600°C ;
控温精度：±1℃ ，显示精度：±0.1℃；
升温斜率：1-5°C/min；
测量精度：0.05%；
电阻率：10-5～105Ω.cm ;
电导率：10-5～105s/cm
方块电阻：10-4～106Ω/□；
电阻：10-5～105Ω；
探针间距：2±0.01mm；
探针压力：0~2kg可调；
针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
真空腔体漏率标准要小于10-9Pa?m3/s ;
样品：直径15~30mm，厚度小于4mm；
设备尺寸：666x425x395mm
高温四探针测试仪结构设计：
1、测量高温、真空气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；
2、主机、软件、高温炉等集成一体，可视化操作；
3、实现纯净气氛下的测量；保证探针在高温下不氧化；
4、真空条件下可精准调节探针距离；要求采用碳化钨探针，X高耐温600℃；
5、自动调节测试电压，探针和薄膜接触无火花现象；
6、控温和测温采用同一个传感器，保证样品每次采集的温度都是样品实际温度；
7、可配套使用Keithley2400或2600数字多用表。
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